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利用有磁过滤器的等离子体沉积装置，在不同温度的Si基底上沉积氮化铌(NbN)薄膜，通过XRD，XPS，SEM等分析，研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系.发现沉积温度对择优取向有较强的影响：从室温到约300℃得到的薄膜在(220)峰表现出很强的择优取向，500℃(220)峰变得很弱，(200)峰表现出择优取向，但不明显.同时，膜层中N和Nb的原子比先随温度的升高而升高，后稍有降低.温度升高，δ-NbN的晶粒变大.室温到300℃很难得到完整的NbN膜，而在500℃得到的薄膜完整且光滑,膜层中得到