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研究了生长在GaN／Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态，并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相，采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究，分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因。AFM显微图表明生长在GaN／Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构晶体质量得到了很好的改善。In—GaN合金的Raman光谱曲线非常微弱，与GaN／Al2O3的Raman光谱曲线几乎完全重叠。通过分光镜椭圆测量可知，InGaN合金的光学带隙E随着In含量的增加而减少。InG