论文部分内容阅读
对UTB器件的各结构参数进行了优化，给出了UTB器件设计的指导方向．在UTB器件的设计中，有三个重要参数，即器件的源漏提升高度、锗硅栅(Ge，Si1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度，并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析，给出了器件各结构参数的优化方向，找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区．通过模拟分析发现，只要合理选择器件的结构参数，就能得到性能优良的UTB器件．