【摘 要】
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文章分析了合成压力对立方氮化硼复合片耐磨性和导电性的影响。在固定其他因素,采用六个不同的压力合成立方氮化硼复合片,分别对其进行磨耗比检测和电阻检测。分析发现,随着
【机 构】
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桂林特邦新材料有限公司,桂林电子科技大学信息科技学院,国家特种矿物材料工程技术研究中心
【基金项目】
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桂科攻(099600509321064);桂科自(0832004Z)
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文章分析了合成压力对立方氮化硼复合片耐磨性和导电性的影响。在固定其他因素,采用六个不同的压力合成立方氮化硼复合片,分别对其进行磨耗比检测和电阻检测。分析发现,随着合成压力的递升,磨耗比逐渐增大,当增加到5.6GPa后磨耗比再无明显变化;而电阻值随着压力的增加反而降低。合成压力的增加,有利于氮化硼颗粒的破碎重排分布,增加了氮化硼颗粒与粘接剂间的接触,进一步提高了其相对密度,表现为磨耗比的提高和导电性的增加。
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