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采用离子柬增强沉积技术制备了ZnO薄膜，分析了退火温度、退火气氛对所制备ZnO薄膜的结构、电学特性和发光特性的影响。利用IBED法获得的薄膜P型N—In共掺ZnO薄膜在氮气下退火，随着退火温度的升高，薄膜电阻值先降低后升高，然后再降低。而在氧气下退火，即使退火温度只有400℃，薄膜的电阻很快变大。