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研究了真空热蒸发制备CdTe薄膜的光电性能以及微结构、化学组成和成膜机理。通过X射线衍射、透射电镜电子衍射、X光电子能谱和光、暗电导测试等分析手段，系统表述了薄膜的组成、结构、表面氧化与真空热蒸发工艺的关系。指出基板温度是决定CdTe薄膜组成和结构的关键参数，150 ℃左右制备的CdTe薄膜具有最佳光电性能和成膜质量。另外，对CdTe薄膜的氧化机制和成膜机理也进行了初步探讨。