【摘 要】
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我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结
【机 构】
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常州半导体厂,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系
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我们用中子活化分析和RBS技术测量了几种能量的~(73)As~+和~(132)Xe~+离子注入SiO_2和Al_2O_3膜的射程参数R_p和△R_p.把实验结果与投影射程统计计算的理论值作了对比.在总结国内外多种实验结果的基础上,找出了一个估算重离子(Z≥30,E=30-400KeV)在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和△r_p的经验公式.该公式对R_p的估算值与多种实验值的差异一般小于10％、△R_p的差异一般小于15％.
We measured the parameters R_p and △ R_p of ~ (73) As ~ + and ~ (132) Xe ~ + ion implanted SiO_2 and Al_2O_3 films by neutron activation analysis and RBS techniques.The experimental results were compared with the projection range On the basis of summarizing the results of a variety of experiments both at home and abroad, a Rp value and a delta value for estimating heavy ions (Z≥30, E = 30-400KeV) in SiO_2, Al_2O_3 and Si_3N_4 are found out. r_p empirical formula.The formula for the R_p estimates with a variety of experimental values generally less than 10% difference, △ R_p the difference is generally less than 15%.
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