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掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给Ｘ射线荧光分析技术带来了突存性的发展。目前，利用全反射Ｘ荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐｇ级，硅片表层杂质分析的检测限达到１０＾９个原子／ｃｍ＾２。文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子。