【摘 要】
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用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约５０，击穿电压ＶＣＥ约９Ｖ；射频特性测试结果表明，晶体管
【机 构】
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用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约５０，击穿电压ＶＣＥ约９Ｖ；射频特性测试结果表明，晶体管的截止频率为７ＧＨｚ，最高振荡频率为２．５ＧＨｚ．
Si / SiGe / Sinpn Heterojunction Bipolar Transistors were fabricated by gaseous source molecular beam epitaxy. The Ge base of the transistor is 0.12, the B doping concentration is 1.5 × 10 19 cm -3, and the thickness of SiGe alloy is about 45 nm. DC characteristics test shows that the total emitter DC amplification factor about 50, the breakdown voltage VCE about 9V; RF characteristics test results show that the transistor cut-off frequency of 7GHz, the maximum oscillation frequency of 2.5GHz.
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March 23,