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根据冷中子源及后续中子导管的布局参数，采用蒙特卡罗方法模拟计算了冷中子导管C3出口处中子柬均匀性、准直性及注量率等数据。优化表明：a）冷源与后续导管入口间距离应尽可能短；b）中子注量率及发散度均随导管超镜因子m值增大，m值由1．5增至3．0，其Y方向发散度增大24％，注量率提高61％；c）垂直于导管弯曲面方向的发散可以用高斯分布来描述，而导管偏转方向则呈条纹状发散；d）在m=1．5、冷源与堆内导管入口距离为2．29m情况下，束流垂直发散宽度为O．86°，中子注量率为2．44×10^2c