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以硅业副产物四氯化硅（SiCl_4）为溶解物,离子液体[BMIM]TF2N为溶剂,碳酸丙烯酯（PC）为支持电解质,采用三电极系统,用C-AFM方法研究[BMIM]TF2N与PC的质量比、电解液温度和沉积时间对阴极板生成物电学性质的影响,以及硅薄膜结构和表面形貌对其电学性质的影响。拉曼光谱结果证实沉积的硅薄膜是非晶态结构,在质量比为1：3的常温电解液中沉积1h制备出的硅薄膜具有很好的均匀性和电学性质。