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用苯热合成法分别在２００℃、３００℃、４００℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比。实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ｎｍ发光峰，在４００℃生长的样品的发光谱中还出现了３８０ｎｍ的伴峰。
苯热合成法制备强紫外光致发光a-SiO_xC_yH_z 膜
【摘 要】
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用苯热合成法分别在２００℃、３００℃、４００℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比。实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ｎｍ发光峰，在４００℃
【机 构】
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中国科学技术大学结构分析开放实验室
【出 处】
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中国科学技术大学学报
【发表日期】
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1999年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金!（69876033）
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