【摘 要】
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武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K
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武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15μm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5μm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10μm的长波波段,用
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