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The Effect of the MeV Si-Ion Irradiation on the Photoluminescence of Silicon Nanocrystals

来源 :凝固态物理国际期刊(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户：sgrsrg

【摘 要】

：

Silicon nanocrystals embedded in silicon nitride films were irradiated with Si-ions at 8 MeV in order to modify their optical response. The samples were charact

【作 者】

：

Alejandra López-Suár 

【机 构】

：

InstitutodeFí,sica

【出 处】

：

凝固态物理国际期刊(英文)

【发表日期】

：

2013年2期

【关键词】

：

SILICON NITRIDE SILICON NANOCRYSTALS PHOTOLUMINESCENCE RBS ERDA Silicon Nitride 

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Silicon nanocrystals embedded in silicon nitride films were irradiated with Si-ions at 8 MeV in order to modify their optical response. The samples were characterized by means of Rutherford Backscattering Spectrometry, Elastic Recoil Detection Analysis, H

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