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基于泊松方程和拉普拉斯方程，结合双栅MOSFET的边界条件，采用牛顿一拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上，提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型，并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较，发现在不同的器件结构参数下，亚阈值摆幅之间的误差均小于5％。