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以第一性原理计算方法为基础，研究了不同构型的ZnO-NC（氧化锌纳米锥），得到了五种稳定的几何结构，电子结构分析表明Zn．Zn（4P）的场发射性能最优。在此基础上，进一步研究了In／Mg掺杂Zn-Zn（4P）体系的场发射性能，结果表明：掺杂使结构稳定性增强，相比掺Mg和未掺体系，掺In提高了LDOS（局域态密度）峰值且峰位更靠近EF（费米能级），尖端电子密度增大；根据Mulliken电荷、HOMO（最高占据分子轨道）-LUMO（最低未占据分子轨道）能隙及有效功函数的计算，可知In-In（4P）具有更优异的