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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W，峰值波长为806－809nm。
GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器
【摘 要】
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本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光
【机 构】
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长春光学精密机械学院国家重点实验室
【出 处】
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长春光学精密机械学院学报
【发表日期】
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2000年3期
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