AlGaN／GaN HEMT研制及特性分析

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liond1803

【摘要】

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以蓝宝石为衬底研制出栅长1μm AlGaN/GaN HEMT导160mS/ mm,栅压.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.

【作者】

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王冲郝跃张进城

【机构】

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西安电子科技大学

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

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2005年2期

【关键词】

：

微波功率器件 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 Current voltage characteristics Gadolinium compounds

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家部委预研项目

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以蓝宝石为衬底研制出栅长1μm AlGaN/GaN HEMT导160mS/ mm,栅压.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨1V下饱和电流720mA/mm,击穿电压大于50V.分析了几个关键工艺对器件特性的影响,指出较大的欧姆接触电阻(3.19Ω·mm)限制了器件性能进一步提高,需提高肖特基接触的势垒高度.

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