电场下饱和甘油三酯分子特性

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hostname
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
短-中链饱和甘油三酯是一种黏度低、可降解的液体绝缘材料,在变压器内绝缘领域具有潜在的应用价值.本文通过设置与绝缘油中放电相当的电场强度等级,使用密度泛函与含时密度泛函方法研究了短-中链饱和甘油三酯分子在电场影响下的分子特性变化规律.研究结果表明,电场下分子结构发生明显改变,分子键长与电场存在明显的依赖关系;相同电场下,随着碳链长度的增大,分子的偶极矩增大,分子极性增强;在109 V/m量级的电场强度下,三辛酸甘油酯与三癸酸甘油酯的最高占据态分子轨道能量明显增大,电离势急剧减小;分子间的激发特性差异较小,都随着电场强度的增大呈现出减小趋势,且相同电场下分子激发能的减小幅度远小于电离势的减小幅度.研究结果有助于提高人们对酯类绝缘介质中放电机理的认识,并为天然酯绝缘油的性能改进提供一定的理论支撑.
其他文献
非平衡量子关联体系是近年来受到广泛关注的一类新型量子系统,其研究对象不局限于某一特定的物理分支,而是涉及凝聚态物理、原子分子物理和量子光学、量子调控与量子计算、非平衡统计物理等诸多现代物理学的前沿领域.这些不同体系中涌现出来的非平衡量子关联现象,既融合了各自体系的不同特征,又展现出普适的一般规律.由于其新颖性和复杂性,这类系统中存在大量未知的基本物理问题和新奇的物理现象,是当前量子科学理论研究的难点和重点.同时,由于量子技术的飞速发展,理解这类复杂系统对于以量子计算和量子调控为代表的新一代量子科学技术的发
非厄米拓扑系统的拓扑不变量可以由定义在双正交基下的局域拓扑指标刻画.不同于厄米体系,非厄米局域拓扑指标在动力学过程中的传播和演化目前还未见文献讨论.本文研究非厄米拓扑体系局域拓扑指标的动力学特性,重点关注淬火过程中,局域拓扑指标由边界向体内的传播.结果 表明,当淬火前后的体系拓扑性质不同时,系统中存在局域拓扑指标的流动,其流速与体系群速度相关,但具体形式与相应厄米体系不同.以3个具体模型为例,通过数值计算说明了这一结论.其中,对于特定具有非厄米趋肤效应的模型,可以发现局域拓扑指标的流速上限与广义布里渊区中
实现量子中继的关键是克服量子储存器中纠缠态的退相干问题.目前,人们常用半导体量子点中的电子自旋来构建纠缠态从而实现量子中继过程.在该过程中,两个半导体量子点之间相距很远,可以认为它们之间没有相互作用.因此,量子点内电子自旋与它周围的核自旋之间的超精细相互作用被认为是导致系统退相干的最重要原因之一.在以前的相关工作中,人们通常将核自旋对电子自旋的超精细相互作用视为一个大小和方向都是随机的并且满足高斯分布的等效磁场.本文在考虑核自旋的等效磁场以及外加磁场的情况下,研究了两个量子点中继系统的退相干问题.首先利用
研究了基本费米子的质量分布,并找到一组描述基本费米子质量在特定分布模式下的经验关系式.这启发我们对基本费米子质量等级和基本费米子具有三代的根源进行深入的思考,提出了一种理论模型,解释了基本费米子为什么具有三代,并讨论了基本费米子质量等级和自旋的起源.
电磁边界条件是研究界面光学、电磁学性质的物理基础.本文考虑界面上物质响应的非突变特性在两种材料界面上构建过渡层,利用积分形式的麦克斯韦方程组,推导出纳米尺度下的电磁边界条件,得到的两个界面响应函数d⊥,d//分别对应于界面等效极化电荷的中心位置和界面极化电流密度沿垂直界面方向的梯度中心位置,根据界面响应函数的定义式分析了界面响应函数受界面两侧材料的介电常数、电场过渡线型、频率等因素的影响.发现铜-银界面上的界面响应函数可以高达数纳米.当界面响应函数可以忽略不计时,纳米电磁边界条件退化为突变结给出的经典的边
简单回顾了半导体材料的发展历史,并以基于氮化镓的高电子迁移率晶体管为例,介绍了第三代半导体器件的产热机制和热管理策略.以β相氧化镓为例,简单讨论了新兴的超宽禁带半导体的发展和热管理挑战.然后重点讨论了一些界面键合技术用于半导体散热的进展,同时指出这些器件中大量存在的界面散热的工程难题背后的科学问题:界面传热的物理理解.在回顾了之前界面传热的理论发展后,指出了理解界面传热当前遇到的一些困难、机遇和方向.
通过序参量来研究量子相变是比较传统的做法,而从机器学习的角度研究相变是一块全新的领域.本文提出了先采用无监督学习算法中的高斯混合模型对J1-J2反铁磁海森伯自旋链系统的态矢量进行分类,再使用监督学习算法中的卷积神经网络鉴别无监督学习算法给出的分类点是否是相变点的方法,并使用交叉验证的方法对学习效果进行验证.结果 表明,上述机器学习方法可以从基态精确找到J1-J2反铁磁海森伯自旋链系统的一阶相变点、无法找到无穷阶相变点,从第一激发态不仅能找到一阶相变点,还能找到无穷阶相变点.
保守系统因为没有吸引子,与常见的耗散系统相比,它的遍历性更好,伪随机性更强,安全性更高,更适合应用于混沌保密通信等领域.基于此,设计了一个新的具有宽参数范围的五维保守超混沌系统.首先,进行Hamilton能量和Casimir能量分析,证明了新系统满足Hamilton能量保守且能够产生混沌.然后进行动力学分析,包括保守性证明、平衡点分析、Lyapunov指数谱和分岔图分析,证明了新系统具有保守系统的特点,且能够在宽参数范围内一直保持超混沌状态,同时对比宽参数范围内系统的相图和Poincaré截面图,结果表明
在高频振荡的外场中,可通过多光子跃迁过程在真空中激发出正负电子对.本文运用计算量子场论的方法数值求解了狄拉克方程,通过观察产生粒子在能量上的分布,对外场宽度在正负粒子产生过程中的影响进行了分析.当场宽较大时,光子跃迁过程模式较为单一,主要在能量对称的区域发生,且单光子跃迁的概率远大于其他多光子过程;而当场宽较小时,双光子跃迁过程的概率大幅增加至和单光子过程同数量级,并且跃迁能量为外场频率整数倍的非对称跃迁都有可能发生.此外,在其他跃迁能量上激发出正负电子对也存在一定概率,粒子跃迁较宽场时呈现出更为复杂的模
电子辐照在材料中产生的缺陷主要是相互独立的空位-间隙原子对,由于不同靶原子的离位阈能不同,通过改变电子束的能量可以调控在材料中产生的缺陷类型,同时,电子的注量又可以决定电子辐照产生的缺陷的浓度.ZnO和TiO2的磁光电特性受Zn空位、Ti空位、O空位、Zn间隙原子、Ti间隙原子等缺陷的影响,因此可以通过电子辐照的方法在ZnO和TiO2中产生不同浓度的各类缺陷进而研究缺陷对材料磁光电特性的影响.本文利用MCNP5程序结合蒙特卡罗辅助经典(MCCM)算法模拟计算了不同能量的点源电子束及面源电子束在纤锌矿ZnO