【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用2.4 mm×2.0mm×0.4 mm CSP MICRO FOOT~封装尺寸的-20 V器件—Si8851EDB,扩展其TrenchFET~P沟道Gen Ⅲ功率MOSF
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用2.4 mm×2.0mm×0.4 mm CSP MICRO FOOT~封装尺寸的-20 V器件—Si8851EDB,扩展其TrenchFET~P沟道Gen Ⅲ功率MOSFET。Vishay Siliconix Si885 1 EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下分别具有8.0 mΩ和11.0 mΩ的极低导通电阻。
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the release of Si8851EDB, the industry’s first -20 V device with a footprint of 2.4 mm × 2.0 mm × 0.4 mm CSP MICRO FOOT to expand its TrenchFET® to P-channel Gen III power MOSFETs. Vishay Siliconix Si885 1 EDB is designed to increase efficiency and save space in mobile computing devices with extremely low on resistance of 8.0 mΩ and 11.0 mΩ at -4.5 V and -2.5 V gate drive, respectively.
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