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研究了2种热处理工艺对3D-C/PyC/SiC力学性能的影响规律和机制。沉积SiC基体前对有PyC界面相的炭纤维编织体进行热处理，使3D-C/PyC/SiC的室温弯曲强度和KIC显著提高，最大提高幅度分别可达38.6%和80.5%。沉积SiC基体后对C/PyC/SiC进行热处理，使3D-C/PyC/SiC的室温弯曲强度和KIC显著降低，最大降低幅度均可达60%以上。