【摘 要】
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IR推出四款采用TSSOP-8封装的全新双HEXFET功率MOSFET，扩展了其便携式电子设备的功率产品系列。全新器件的导通电阻 (RDS(on)) 比同类产品降低25%。IRF7757、IRF7756、IRF7755
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IR推出四款采用TSSOP-8封装的全新双HEXFET功率MOSFET，扩展了其便携式电子设备的功率产品系列。全新器件的导通电阻 (RDS(on)) 比同类产品降低25%。IRF7757、IRF7756、IRF7755和IRF7754四款新器件利用IR的基准MOSFET技术，实现低导通电阻，使便携式电子设备的功率系统的效率更
IR introduces four new double HEXFET power MOSFETs in the TSSOP-8 package, expanding the power product range of their portable electronics devices. The new device’s on-resistance (RDS (on)) is 25% less than competing products. The IRF7757, IRF7756, IRF7755 and IRF7754 four new devices utilize IR’s reference MOSFET technology to achieve low on-resistance, making the power system of portable electronic devices more efficient
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