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用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP
【摘 要】
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用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所,电子工业部第十三研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1996年7期
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