论文部分内容阅读
功率器件如MOSFET和IGBT提供了较快的开关速度,还能耐受没有规律的电压峰值,被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其是最新第三代半导体SiC和GaN的快速发展和应用,为电源行业带来了颠覆性的变化。对于设计工程师来说,则带来了非常大的测试挑战,那就是他们急需找到一个用于选用高速功率器件的解决方案。