一种微晶 SOI的制作及电荷存储性能研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Kimyueyue

【摘要】

：

运用高温熔凝工艺制作了一种 Si-(Si02-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶 SOI.实验结果显示,该 SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒

【作者】

：

黄志强沈彦宇马雪涛顾宇杰

【机构】

：

同济大学电信学院,上海,201804;常州晶麒新材料科技有限公司,江苏常州,213023

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2019年6期

【关键词】

：

绝缘体上硅复合材料介电电荷存储热剌激放电

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运用高温熔凝工艺制作了一种 Si-(Si02-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶 SOI.实验结果显示,该 SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒压正负电晕充电可以在中间绝缘层建立无源空间电场,获得与栅压相近的表面电位;热剌激放电曲线显示,电流峰位于 T=513 K附近且呈正负对称,捕获电荷的能阱深度约为1.22eV.这表明该微晶 SOI是一种具有电荷存储能力的新型 SOI复合材料.

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