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利用红外（infrared，IR）显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外（Fourier transform infrared，FTIR）光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相．讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因，及其对晶体中位错密度（etch pit density，EPD）和红外透过率的影响．实验结果表明：沿生长轴方向，Te夹杂相密度增大，相应的位错密度也增大；红外透过率随Te夹杂相密度的增大而减小，生长末端晶体的透过率低至45％．