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通过改变O和N含量研究了SiOxNy薄膜中从600到1 600 cm-1范围内的红外吸收谱特征.结果表明,起源于单一Si-O、Si-N键的吸收峰在1 105和865 cm-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对称键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1 036和856 cm-1处.