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采用CBD两步生长法和热蒸发法在Si衬底上生长ZnO纳米棒．研究发现，该方法对于ZnO纳米棒阵列的近带边复合发光有效衰减时间有很大影响．采用CBD方法生长的ZnO纳米棒的衰减曲线存在两个衰减指数，而通过热蒸发法生长的ZnO纳米棒只有一个衰减指数，实验结果显示CBD法生长的ZnO纳米棒其中较快的衰减指数与表面复合发光有关，慢的衰减指数对应体材料的衰减．另外，随着热处理温度从500℃到700℃，其表面复合速率急剧减小．