用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性

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【摘要】

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研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等

【作者】

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【机构】

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华南理工大学应用物理系!广州，510641,华南理工大学应用物理系!广州，510641,南方四通公司信息研究所!广州，510630,华南理工大学应用物理系!广州，510641,华南理工大学测试分析中心

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1997年10期

【关键词】

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研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．

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