切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
长寿命军用HIC的研究
长寿命军用HIC的研究
来源 :电子元器件应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ZT0009
【摘 要】
:
本文通过对军用HIC主要失效模式的分析,指出有源器件失效、引线键合缺陷及沾污是引起军用HIC失效的主要原因,提出提高军用HIC寿命的有效措施。
【作 者】
:
田东方
李自学
【机 构】
:
西安微电子技术研究所
【出 处】
:
电子元器件应用
【发表日期】
:
2000年10期
【关键词】
:
混合集成电路
寿命
军用
失效模式
Hybrid Integrated Circuit
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文通过对军用HIC主要失效模式的分析,指出有源器件失效、引线键合缺陷及沾污是引起军用HIC失效的主要原因,提出提高军用HIC寿命的有效措施。
其他文献
企业级层叠式存储系统SATA复用器PM8305/7
PMC-Sierra公司推出智能化SATA对等复用器,从而扩展了自己的maXSAS存储产品系列PM8305和PM8307。该器件可实现低成本SATA HDD的企业级应用。PM8305 SPS 3G和PM8307 SPS 3GT SA
期刊
企业级应用
SATA
存储系统
复用器
层叠式
ACTIVE
产品系列
微控制器
监测功能
智能化
GreenLine^TM小型廉价功率因数控制器MC33260的特点及应用
摩托罗拉公司近期推出的PFC控制器MC33260,是一种廉价的创新型单片IC.MC33260在开关电源或电子镇流器应用中,只需很少量的外部元件,就可实现一切所必需的控制与保护功能。本文介绍了MC33260的结构、特点及功
期刊
PFC控制器
MC33260
功率因数
单片集成电路
品质源于实力 实力赢得信赖——泰克公司创造一流的测量解决方案
泰克公司综合经营检测、测量和监视设备,为通信、计算机、半导体等行业提供测量解决方案。凭借其超过55年的丰富经验,泰克公司能够使用户设计、建立、使用和管理下一代全球通讯
期刊
泰克公司
企业文化
市场
发展战略
内固定取出术预防性应用抗菌药物同期对比分析
目的:了解2012年1-6月青海省某三级甲等医院骨科内固定取出术围术期预防性应用抗茵药物情况,为规范医院外科围术期抗茵药物的应用与管理探索合理干预途径。方法:抽取2012年1-6月我
期刊
内固定取出术
围术期
抗菌药物
对比分析
干预
Internal fixation removal surgery
Perioperative period
我国汽车电子产品概况及其应用
期刊
中国
汽车
电子产品
概况
AKM发布低功率立体声音频编解码器AK4643
Asahi Kasei发布Audi02 goTM系列的新产品AK4643.AK4643是单片16位立体声A/D或D/A转换器,具有高质量麦克风均衡器及内置麦克风、耳机、扬声器放大器。
期刊
音频编解码器
立体声
AKM
D/A转换器
麦克风
均衡器
DC/DC电源用扁平式变压器的最新发展现状
DC/DC电源用扁平式变压器是近60年来变压器技术领域中的第一次技术创新。它克服了传统变压器散热差、漏感大、高频特性差、制造工艺冗长以及体积大等一些缺陷。本文通过讨论普通变压
期刊
DC/DC电源
扁平式
变压器
HD44780型液晶驱动模块的应用
本文介绍了HD44780的原理及工作方式,重点介绍了采用MCS-51单片机在C语言环境下的应用实例。
期刊
C语言
液晶显示驱动模块
HD44780
MCS-51单片机
LCD driver module
乌司他丁与奥曲肽联合治疗重症急性胰腺炎的疗效观察
目的:探讨乌司他丁与奥曲肽联合治疗重症急性胰腺炎( SAP)的疗效。方法:125例SAP患者按随机数字表法分为对照组(n=62)和观察组(n=63)。对照组患者单用奥曲肽治疗,观察组患者采用乌司他丁
期刊
奥曲肽
乌司他丁
重症急性胰腺炎
Ulinastatin
Octreotide
Severe acute pancreatitis
超高速化合物半导体器件(4)
以高电子迁移率晶体管,异质结双极晶体管微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点,封装,测试及其应用。
期刊
高电子迁移率晶体管
异质结双极晶体管
化合物半导体
RF测试
微波封装
High electron mobility transistor (HEMT)
He
与本文相关的学术论文