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当时就职于加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学的胡正明教授欣然接受了这一挑战.他立即想到了一个方案(实际上是两个解决方案),并在几天后乘坐飞机的途中做出设计草图.其中一个想法是,升高电流流过的通道,使其凸出芯片表面,成为鳍式场效应晶体管(FinFET).该技术为他赢得了今年的IEEE荣誉勋章,“在半导体模型开发和应用方面成就卓越,特别是3D结构设计,使摩尔定律又延续了几十年.”