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电压衬度(Voltage Contrast,VC)是CMOS集成电路失效分析的一种有效方法。电压衬度主要利用二次电子的发射效率与样品表面电势相关的原理。通过数据分析、电学测试等流程缩小搜索范围,再利用电压衬度原理进一步缩小范围,通过FIB精准定位缺陷并进行剖析,最终找到失效根源。作者探讨电压衬度原理,并通过具体案例,对电压衬度分析在扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)以及聚焦离子束(Focused Ionbeam,FIB)的运用作了详细阐述。