【摘 要】
:
利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移.根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用Forster理论估算出DCM:PVK掺杂体系能量转
【机 构】
:
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室
【基金项目】
:
广东省广州市科技攻关项目,广东省科技厅科技计划
论文部分内容阅读
利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移.根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用Forster理论估算出DCM:PVK掺杂体系能量转移的临界半径及其效率.在DCM:PVK掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,DCM的发射强度增强,PVK的发射强度减弱,两者相对强度之比与估算结果一致.还利用时间分辨超快光谱研究了DCM:PVK掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到DCM:PVK掺杂薄膜的荧光寿命随着掺杂浓度的升高逐渐变短.结果表明,在DCM:PVK掺杂薄
其他文献
采用半导体激光二极管泵浦12cm长高掺铒光纤,在双程前向装置中,获得了10.8mw最大超荧光输出功率,斜率效率10.6%,在1553.1—1588.6nm接近36nm的范围内,功率抖动小于0.2dBm。作为比较,在相
在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信
利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关
采用固相法在较低温度下合成了Eu^2+激活的Ca2SiO3Cl2高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca2SiO3Cl2晶体
采用以ITO为导电层的柔性透明PET基片作为衬底,以2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)作为发光层制备出结构为PET/ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2/Al明亮的近白色柔性有机小分子电
通过在CuI的强碱溶液中Ullmann反应合成了纯度较高的1,5-萘二胺衍生物NPN,制备了NPN薄膜.利用紫外/可见吸收光谱和荧光发射光谱的溶剂效应对化合物NPN的发光行为进行了研究,
由单体Ma[2,5-二(2-乙基-己氧基)-1,4-双-{2,2-[5-(对-氟代苯基)]-1,3,4-(口恶)二唑基}苯]分别与三组分单体(双酚A、砜代双酚A或混合的双酚A)在N,N-二甲基乙酰胺/甲苯/碳酸钾
用燃烧合成法制备了Lu2O3:Tb3+纳米粉末.产物为立方相结构,粒径在3~40nm之间可控.对不同颗粒度的样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减特性进行了研究.在紫外光激发下,样品显示
采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-