【摘 要】
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采用两只总栅宽100 mm的0.5 μm工艺GaN HEMT功率管芯，通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络，实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下，1.14～1.26 GHz内，功率管输出功率≥600 W，功率增益≥12 dB，功率附加效率≥55%，体积仅为33 mm×17 mm×2 mm，重量仅为3.5 g，显示出卓越的性能，具有广泛的工程应
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采用两只总栅宽100 mm的0.5 μm工艺GaN HEMT功率管芯，通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络，实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下，1.14～1.26 GHz内，功率管输出功率≥600 W，功率增益≥12 dB，功率附加效率≥55%，体积仅为33 mm×17 mm×2 mm，重量仅为3.5 g，显示出卓越的性能，具有广泛的工程应用前景。
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目的:探讨重症超声膈肌定量参数对呼吸衰竭患者撤机结局的预测价值。方法:选取2018年1月—2022年6月于我院ICU接受机械通气（mechanical ventilation, MV）治疗的呼吸衰竭患者214例，按7∶3比例随机分为训练集和验证集，其中训练集150例，依据撤呼吸机情况将训练集数据分为撤机失败组（35例）和撤机成功组（115例）。验证集64例，其中撤机失败组（16例）和撤机成功组（4
L波段功率单管有增大功率的需求，但会面临体积较大的问题。基于0.5μm工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯，单芯功率达到300 W。通过负载牵引仿真提取模型的输入、输出最佳阻抗点。用高介电常数薄膜电路设计L-C网络，拉高芯片的输入输出阻抗，并抵消虚部。用微带电路设计两级阻抗变换的宽带功率分配器及合路器电路，进行四胞管芯合成。内置稳定电路、栅极和漏极供电偏置电路，实现高度集成化、小型化
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