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对所生产的光伏ＩｎＳｂ器件Ｒ０Ａ值进行了测试，结面积为φ２．９ｍｍ的单元器件Ｒ０Ａ值在５．７１×１０＾４～５．７５×１０＾６Ωｃｍ＾２之间，在５０×１００μｍ＾２的线阵器件典型Ｒ０Ａ值为３×１０＾４Ωｃｍ＾２，对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对Ｒ０Ａ值的影响。
光伏InSb探测器R0A值的测试与分析
【摘 要】
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对所生产的光伏ＩｎＳｂ器件Ｒ０Ａ值进行了测试，结面积为φ２．９ｍｍ的单元器件Ｒ０Ａ值在５．７１×１０＾４～５．７５×１０＾６Ωｃｍ＾２之间，在５０×１００μｍ＾２的线阵器件典型Ｒ０Ａ值为３×１０＾４Ωｃｍ＾２，对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对Ｒ０Ａ值的影响。
【机 构】
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华北光电技术研究所
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2000年4期
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