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用扫描电镜、交流阻抗谱和恒流充放电等方法,分析了电解刻蚀集流体铜箔对纳米硅和微晶石墨负极性能的影响。电解刻蚀后,铜箔表面形成了沟壑式形貌,与负极材料紧密接触;以0.1C充放电,纳米硅和微晶石墨负极的首次充放电效率分别提高了7.0%和7.3%,第30次循环的放电比容量分别从192 mAh/g、325 mAh/g提高到217 mAh/g3、58 mAh/g。