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对磁控溅射和低压化学气相淀积（LPCVD）2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了研究，并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的影响。实验表明：LPCVD薄膜稳定性、重复性较好，应变系数可达到20以上；磁控溅射薄膜经适当结晶化工艺处理具有纳晶硅的结构特征，应变系数可达到80以上。利用扫描电镜（SEM）图片结合电阻率和应变系数的测试结果，讨论了2种方法制备出的多晶硅薄膜应用于压阻式力学量传感器的可行性。