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采用量子水动力学（QHD）模型模拟了35nmSi／Si1xGex空穴型共振隧穿二极管（RTD）在室温下的，I-V特性。模拟过程中，引入second upwind，Schafetter-Gummel（SG）和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散，保证了结果的收敛性,还模拟了不同的器件结构，对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响,在室温下（T=293K），当x=0．23时，模拟结果的峰谷电流比为1．14，与实验结果相吻合。