论文部分内容阅读
在连接工艺参数为1000～1200℃/25MPa/90min条件下,对高铌TiAl合金（TAN）进行直接扩散连接。采用SEM、EDS、XRD和EBSD等方法对连接界面微观组织进行分析,并研究了连接温度对接头界面结构和剪切强度的影响。结果表明：当连接温度T〈1100℃时,连接界面清晰垂直,继续升高温度,界面消失;扩散连接过程中,连接界面处出现再结晶现象,随着连接温度的升高,再结晶晶粒不断增多并长大,并且再结晶区域出现大量α_2相;当连接温度达到1150℃时,接头平均抗剪强度达到最大值为105 MPa。