【摘 要】
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对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理.进一步联合考虑
【机 构】
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武汉大学电子信息学院,武汉,430072
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对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理.进一步联合考虑点区和垒区组分变化对兼顾增益与折射率变化以及偏振相关性的影响,提出了一种多参数调配方法,并据此设计出在1 550 nm通信波段(1 540～1 560 nm)内兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料In0.97 Ga0.03 As/In0.76 Ga0.24 As0.52 P0.48.最后通过分析,选定合适的工作栽流子浓度.当载流子浓度为0.6×1024 m-3时,TE模和TM模的3 dB谱宽交叠区面积分别为8.66×103和7.55×103 nm/cm,增益和折射率变化的偏振相关性分别在3％和10％以内.研究结果有助于未来全光网络中关键器件的优化设计.
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