【摘 要】
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阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜，以提高场发射阴极性能，它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在13型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等
【基金项目】
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教育部留学回国人员启动基金资助项目
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阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜，以提高场发射阴极性能，它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在13型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺，制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列，硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2μm，锥高约1．04μm，每个硅尖之间间隔6μm，尖端的曲率半径约50砌，锥角约56°，尖锥阵列的密度约10^6／cm^2。为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力，通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧（LaB6）薄膜，薄膜的厚度大约50砌，锥尖曲率半径变
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