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采用Cascade探针台与Agilent4155B参数测试仪测试采用1．5μmP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50：4的高压PMOSFET在不同温度下（27℃-200℃）的器件特性，包括漏电流IDS、阈值电压VT、栅跨导gm的温度特性，并与常压PMOSFET温度特性比较，推导同值电压值与温度的简单关系。