【摘 要】
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电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好地预防PI
【机 构】
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拉萨师范高等专科学校信息技术系,西藏拉萨850000
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电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好地预防PID 现象的发生。
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