针对目前高速传输电连接器插头电磁兼容性能较差的现状,提出了改进结构以增强其电磁兼容性能。结构改进为插头对接端增加屏蔽罩结构,并根据波导理论评估了当屏蔽罩对接端厚度h=0.28 cm时,电连接器能增加38.5 d B的屏蔽效能。对改进前后的电连接器插头进行电磁场屏蔽效应仿真,仿真结果表明结构改进使屏蔽效能增加了21.9 d B,验证了结构改进的可行性。对改进前和改进后的结构进行了静电抗扰度试验和电磁屏蔽试验,试验结果表明:结构改进前空气放电和接触放电引起的接触件两端电压分别为37.6 V、14.3 V,结构改进后空气放电和接触放电引起的接触件两端电压分别为4.8 V、3.3 V,结构改进后插头端面屏蔽效能为15.2 d B。基于电磁兼容的高速传输电连接器结构优化为电连接器设计、电磁兼容性能升级提供了参考。