【摘 要】
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采用磁控溅射方法在单银Low-E玻璃基底上制备了ASV(Low-E膜系/SiO2/VO2)以及ASVS(Low-E膜系/SiO2/VO2/SiO2)复合膜系,得到可热致变色的近红外隔绝膜系。通过UV-NIR分光光度计
【机 构】
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武汉理工大学,江苏秀强玻璃工艺股份有限公司
【基金项目】
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国家“十三五”重点研发计划子课题(2016YFB0303903-04),武汉理工大学产学研项目(20131h0467)
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采用磁控溅射方法在单银Low-E玻璃基底上制备了ASV(Low-E膜系/SiO2/VO2)以及ASVS(Low-E膜系/SiO2/VO2/SiO2)复合膜系,得到可热致变色的近红外隔绝膜系。通过UV-NIR分光光度计、XPS、XRD、SEM,研究了VO2厚度以及SiO2增透层对膜系的透过、隔热性能的影响。结果表明,在20~90℃范围内,ASV膜系的红外平均透过率Tnir随温度升高降低,随着VO2厚度的增加,Tnir下降,选择系数Q先上升后下降。VO2厚度为50 nm时,90℃近红外隔绝性能增幅ΔTnir为
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