【摘 要】
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碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT,SiC MOSFET的反向导通(第三象限运行)压降更低、损耗
【机 构】
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中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室,中国科学院大学
【基金项目】
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高速磁浮牵引供电及控制系统关键技术研究及装备研制项目(2016YFB1200602-20)
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碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关时间短以及温度特性稳定等诸多优点在中小功率变换器得到广泛关注。对比Si IGBT,SiC MOSFET的反向导通(第三象限运行)压降更低、损耗更小、载流能力更高,在电机驱动、移相DC/DC变换器以及同步整流器中应用更有优势。首先研究了SiC MOSFET反向导通机理及其外特性随温度变化规律,提出了一种适用于不同封装、不同型号的反向导通建模方法,实现仅需数据手册即可快速建立包含不同结温特性的行为模型,仿真结果验证了提出的建模方法对分立元件和功率模块的准确性和有效性。
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