【摘 要】
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在较高工作气压(332.5~399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)测试技术对
【机 构】
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北京航空航天大学理学院凝聚态物理与材料物理研究中心,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
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在较高工作气压(332.5~399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)(、220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2~5nm)符合纳米晶的要求。将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm2,25℃)。
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