【摘 要】
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低电容瞬态电压抑制器(TVS)是用来保护高频电路电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,通过在重掺杂的P型掺硼衬底上生长近似本征的高阻N型外延层形成低电容导引二极管。高阻N型外
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低电容瞬态电压抑制器(TVS)是用来保护高频电路电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,通过在重掺杂的P型掺硼衬底上生长近似本征的高阻N型外延层形成低电容导引二极管。高阻N型外延生长过程中的自掺杂现象特别严重,是产品量产面临的重大挑战。通过优化衬底背封工艺,采用外延缓冲层,结合高温烘烤,低温变速赶气等技术,从而在重掺杂P型衬底上生长出满足生产需要的高阻N型外延层,得到的器件电容及漏电均达到要求,产品良率达到98%以上。
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