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本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试.制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散.在pn结足够深时才能产生SOS效应.描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能.测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平.
半导体断路开关（SOS）特性研究
【摘 要】
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本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试.制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散.在pn结足够深时才能产生SOS效应.描述了制作过程
【机 构】
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西安交通大学微电子研究所,阜新天琪电子公司
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2004年12期
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