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简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体（SOI LDMOS）电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型，采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构，采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB，输出功率达到25dBm，功率附加效率大于40％。